코야온니의 티스토리 :)

NCS 반도체 전공정 집중 과정 반도체 및 소자 관련 기초 (10~12강) 3. Photolithograpty 패턴이 형성된 마스크에 빛을 조사하여, 감광제를 도포한 웨이퍼 상에 설계된 패턴을 구현하는 기술 3-1. 기초 ▶ Photo 공정의 필수 구성 요소 빛 : 특정 파장대 (자외선 중의 특정 값) Mask 감광제 (PR) : 빛에 반응해 분자 구조가 바꾸어서(Polymer → Monomer, ∴ 염기성 용액에 녹음) 현상 공정을 거쳐 패턴이 형성됨 Solvent Polymer : 현상 후 남아있는 실체 Sensitizer : 빛에 반응하는 물질 → Positive (해상도 좋아 많이 사용) or Negative PR 결정 ▶ Yellow Room Photo 공정은 Yellow Room에서 진행 이유..

NCS 반도체 전공정 집중 과정 반도체 및 소자 관련 기초 (6~9강) 2. Deposition & Metalization 2-1. Deposition ▶ 박막 : 1μm 이하의 막 ( 그 이상 → 후막 ) ▶ 박막의 필요 조건 우수한 물질 특성 도체: 저항↓ , 부도체: 절연성 목적 → 경도/밀도/순도 조절 기판과의 점착력, 열적/화학적 안정성 공정 진행 후에도 안정적이어야 함 패턴 형성의 용이성 높은 신뢰성 Low cost ▶ 박막 공정 웨이퍼 전면에 원자 / 분자 단위의 물질을 도포하고, 이후 Patterning을 거쳐 원하는 전기적 특성을 갖도록 함. 박막 공정의 분류 : Physical ↔ Chemical ▶ Aspect ration (종횡비) # 종횡비 → Step Coverage (단차 피복..

NCS 반도체 전공정 집중 과정 반도체 및 소자 관련 기초 (1~5강) 1. 반도체 및 공정 관련 기초 1-1. 반도체 기초 ▶ 원자: 원자핵 (+) + 전자 (-) → 가전자 원자에서 원자핵의 구속을 끊는 전자 = 자유전자 이에 따라 생기는 반자리 = 정공 ▶ 옥텟 규칙(최외각 전자 8개) → 원자들간 공유 결합 O → 격자 형성 ▶ 전도대 및 가전자대 전도대 ( Empty State) : 전자 ↓, 가전자대로부터 전자가 넘어온다면 자유롭게 이동해 전류 생김 ↕ Band Gap 가전자대 ( Filled State) : 전자 ↑, 전자로 가득차서 움직이지 않아 전류 = 0 ▶ Band Gap에 따른 분류 부도체 (Band Gap: High) 반도체 (Band Gap: Medium) → Doping에 따라..